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利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的，并且应力释放是缓慢的，即使Ｇｅ外延层厚为６ｎｍ，仍有４２％的应变没有弛豫．
X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响
【摘 要】
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利用原位的反射式高能电子衍射和非原位的Ｘ射线衍射技术，研究了活化剂Ｓｂ对于Ｇｅ在Ｓｉ上外延过程的影响．当没有活化剂、Ｇｅ层厚度为６ｎｍ时，外延Ｇｅ层形成岛状，应力完全释放．当有Ｓｂ时、Ｇｅ在Ｓｉ上的生长是二维的
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室,中国科学院高能物理研究所
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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1997年09期
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