【摘 要】
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近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2～3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的
【机 构】
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东南大学生物科学与医学工程系,东南大学生物科学与医学工程系,东南大学生物科学与医学工程系,
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近年来超大规模集成(ULSI)器件发展十分迅速.以动态随机存贮器(DRAM)而言,其集成度正以每2～3年上升四级的速度不断提高.1991年日本已制成64兆位的动态 RAM,在10×20 mm~2 的面积上包含有1.4×10~3 个元件.微细加工技术(特别是刻蚀技术)的日益进步是推动这种发展的强大动力.在各种刻蚀技术中,当前在微电子工业中发挥重要作用的仍是光学刻蚀方法.
In recent years, ultra-large-scale integration (ULSI) devices have developed very rapidly, and in terms of dynamic random access memory (DRAM), the level of integration is on the rise every four to three years. In 1991, Japan had made 64 The megabit dynamic RAM contains 1.4 × 10 3 elements in an area of 10 × 20 mm 2. Increasing advances in microfabrication technology, especially etching technology, are a powerful driving force behind this development In the etching technology, the optical etching method is still the most important role currently played by the microelectronics industry.
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