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为了研究MOS晶体管中过渡层对于电学特性的影响，通过采用电子一空穴复合的直流电压电流特性方法，改变MOST过渡层不同的参数，画出其界面电子一空穴复合的直流电流电压特性曲线，分析比较有无过渡层曲线的变化情况来讨论MOST的电学性质。通过分析得出过渡层对于晶体管的影响较小，在工业生产可以接受的误差范围之内，因此在工业生产中不必再刻意考虑过渡层对MOS晶体管造成不利影响。