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本文主要研究了808nm高功率半导体激光器采用In焊料和AuSn焊料封装器件,对器件光电参数以及工作寿命的影响。结果显示In焊料封装器件功率高于AuSn焊料封装器件,In焊料封装器件波长比AuSn焊料封装器件短。而在工作寿命方面,AuSn焊料封装器件占有明显优势,经过500小时老化,结果显示In焊料封装器件功率退化严重,而AuSn焊料封装器件功率稳定。