【摘 要】
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虽然半导体存储器的发展预计可能是为获取高阵列密度、快存取时间而奋斗,但在83年的ISSCC展览会上却使人大开眼界,这是因为其技术水平和应用领域进入了一个前所未有的阶段,(
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虽然半导体存储器的发展预计可能是为获取高阵列密度、快存取时间而奋斗,但在83年的ISSCC展览会上却使人大开眼界,这是因为其技术水平和应用领域进入了一个前所未有的阶段,(256K动态随机存取存储器正准备初次投放市场)其速度确实是很快的——100ns或更小。同时,4kMOS单元的静态RAM的存取时间将达到5ns,而16k双极型态RAM的典型存取时间将达到15ns左右。
Although the development of semiconductor memory is expected to be likely to result in high array densities and fast access times, it is an eye-opener at the 83-year-old ISSCC because of its technological sophistication and application into an unprecedented (256K DRAM is getting ready for initial launch) and the speed is really fast - 100ns or less. At the same time, 4kMOS unit static RAM access time will reach 5ns, and 16k bipolar mode RAM typical access time will reach 15ns or so.
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