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我们在场有用电子结构计算和 directdynamics 模拟的 ethene 的氢氧根激进分子的反应的理论研究。在 CCSD (T)/augccpVTZ//MP2/augccpVDZ 水平的 Highaccuracy 电子结构计算被执行了描绘各种各样的反应小径的势能表面的代表性的区域，包括 OHaddition 和 Habstraction。这些 ab initio 计算被采用了为对 OH+C2H4 反应特定的 MSINDO semiempirical Hamiltonian 导出参数的一个改进集合。s