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吴汉明研究员从事等离子体理论和集成电路芯片制造工艺研究，建立自主可控的高端芯片制造工艺平台，主持或参与了我国从0．13微米至20纳米6代芯片制造技术研发，技术转化产业化累计实现60多亿美元产值，使我国芯片制造技术与世界代工先进水平差距从6代以上缩小到1代半，为我国集成电路芯片制造产业技术进入世界主流作出突出贡献。发表论文100余篇（部分被国内外大学教科书采用），发明专利64项、美国专利14项。