【摘 要】
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研究了静电感应晶体管(SIT)的噪声特性。在中低频范围内SIT晶体管具有较高的噪声电平,并且随着温度的降低而增加,完成了不同温度下的频谱分析。噪声频谱观测给出来源于单一能
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研究了静电感应晶体管(SIT)的噪声特性。在中低频范围内SIT晶体管具有较高的噪声电平,并且随着温度的降低而增加,完成了不同温度下的频谱分析。噪声频谱观测给出来源于单一能级陷阱的产生复合噪声。测得0.13eV的激活能,它可能产生于以前在体内观察到的Si-O复合体,这可能是SIT的重要噪声源。
The noise characteristics of the electrostatic induction transistor (SIT) were investigated. The SIT transistor has a high noise level in the mid to low frequency range and increases as the temperature decreases, completing the spectral analysis at different temperatures. Noise spectrum observations give rise to complex noise originating from a single energy level trap. A measured activation energy of 0.13 eV, which may be generated from previously observed Si-O complexes in vivo, may be an important source of noise for SITs.
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