超声研磨SiC单晶材料去除率与表面特征研究

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为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺。实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低。本文同时分析了材料去除率提高与表面粗糙度值降低的原因。
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