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研究工作是在用径流喷射法形成的ZnO/Bi_2O_3双层复合试样上进行的,该试样被看作是ZnO压敏电阻中单个晶粒边界的模型。研究的目的是为了弄清楚劣化和非线性导电特性的机理,并由此了解薄片压敏电阻的性能。作者测试了试样的I—V特性曲线和热激发电流(TSC)。在反向偏压作用下,双层复合试样呈现出比实际的压敏电阻更高的非线性系数。 ZnO/Bi_2O_3双层复合试样的击穿电压随Bi_2O_3的厚度增加而增大,因此,可以由此来控制试样的击穿电压。该现象解释如下:由于Bi_2O_3体内和ZnO/Bi_2O_3交界