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对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备氢化微晶硅（μc-SiH）薄膜中等离子体功率的影响进行了研究。原位光发射谱（OES）监测表明,SiH4等离子体中特征发光峰ISiH、IHα、IHβ和IH/ISiH均随等离子体激发功率的增加而增大,并且变化趋势因功率区间的不同而异。由厚度与Raman光谱测量可知,随着等离子体功率的增加,μc-SiH薄膜的平均晶粒尺寸单调减小,而沉积速率与结晶体积分数则呈现出先增后减的变化,等离子体功率对薄膜的沉积速率与结构特征具有“调制作用”。光暗电导率测量进一步