论文部分内容阅读
本文对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理,研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围,使得PL谱的发光得到改善,随着退火温度的继续提高,PL谱线发生兰移,发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论。