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本文对ＧＳ－ＭＢＥ生长的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构用快速热退火（ＲＴＡ）方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光（ＰＬ）特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得ＰＬ谱的发光得到改善，随着退火温度的继续提高，ＰＬ谱线发生兰移，发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了我们的结论。