【摘 要】
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利用多靶磁控溅射设备交替沉积Cr、Ti和Si层,并通过随后的真空退火处理,制备了掺杂Ti的CrSi2薄膜.交替沉积薄膜500℃退火2h,薄膜中除含有（Cr,Ti）Si2相外,还有部分残留的沉积Si
【机 构】
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沈阳工业大学材料科学与工程学院,沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（51171118）
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利用多靶磁控溅射设备交替沉积Cr、Ti和Si层,并通过随后的真空退火处理,制备了掺杂Ti的CrSi2薄膜.交替沉积薄膜500℃退火2h,薄膜中除含有（Cr,Ti）Si2相外,还有部分残留的沉积Si相和少量反应生成的CrSi相;退火时间增加,沉积Si相和CrSi相减少而（Cr,Ti）Si2相增多;500℃退火6h及以上时,薄膜中仅有（Cr,Ti）Si2相.测量薄膜X射线衍射峰半高宽,利用谢乐公式估算薄膜平均晶粒尺寸表明,退火时间从2h增加到8h,薄膜中（Cr,Ti）Si2相晶粒尺寸由68nm近似线性增加到8
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