【摘 要】
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SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特点。已成为Si功率器件的良好替代品,广泛应用在电力电子领域。随着开关频率的提高,原本在Si基中可以忽略的寄生参数在SiC中
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,国防科技大学电子科学与工程学院
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SiC材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特点。已成为Si功率器件的良好替代品,广泛应用在电力电子领域。随着开关频率的提高,原本在Si基中可以忽略的寄生参数在SiC中显得尤为重要。寄生参数决定了SiC功率器件的损耗,更是决定了器件使用的条件。本文进行理论加仿真进行验证,详细分析了SiCMOSFET开关过程中密勒平台形成的原因,以及密勒电容带来的上下桥臂串扰问题。并结合前人的抑制串扰电路,改进一款利用三极管反并联二极管的电路抑制栅极的正反向串扰。最后利用LTspice仿真软件对改进的被动式密勒箝位电路
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