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本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。
1.3μm超辐射发光二极
【摘 要】
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本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。
【机 构】
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吉林大学电子科学系
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1990年4期
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