【摘 要】
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基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计并制备了工作在1.2 V电源电压下的超低功耗RC振荡器。该振荡器主要包括运算放大器、压控振荡器（VCO）、基准电流源、低温漂电阻和可修调开关电容以
【基金项目】
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国家科技重大专项资助项目(2014ZX02302002)
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基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计并制备了工作在1.2 V电源电压下的超低功耗RC振荡器。该振荡器主要包括运算放大器、压控振荡器（VCO）、基准电流源、低温漂电阻和可修调开关电容以及非交叠时钟产生电路。该振荡器用工作在亚阈值区的运算放大器和VCO取代了传统单比较器型RC振荡器中的比较器,显著降低了功耗;用开关电容取代了充放电电容,并且将输出时钟的频率转换成了阻抗,与参考电阻进行比较。利用负反馈环路锁定了输出时钟信号频率,从而得到了稳定的时钟信号。测试结果表明,1.2 V电源电压、27℃环境下,该RC振荡器的输出时钟信号频率为32.63 kHz,功耗为65 nW;在-10100℃,其温度系数为1.95×10-4/℃;在0.71.8 V电源电压内,其电源电压调整率为3.2%/V。芯片面积为0.168 mm2。
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