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采用密度泛函理论（DFT）的B3LYP／6-31G（d）方法对以低聚噻吩为端基、苯并二噻吩（TPT）和并三噻吩（TTT）为共轭桥、炔键为连接臂的20个模型化合物进行了计算研究．在优化中性与离子态几何构型基础上，获得了前线轨道能级、电离能（IPs）、电子亲和势（EAs）、空穴／电子重组能（λb／λe）、载流子迁移率（μh／μe）及吸收光谱等信息．结果表明，炔键的引入及端基低聚噻吩的增加对LUMO能级的调控作用较为显著，而共轭桥的类型对HOMO能级影响较大；合理选择端基、共轭桥和连接臂等结构单元可对该类材料吸