【摘 要】
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基于0.5 μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器，包括传统的P^＋/N-EPI/BN^＋结构光电探测器和多叉指P^＋/N-EPI/BN^＋
【机 构】
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厦门大学物理与机电工程学院,厦门大学能源研究院
【基金项目】
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The National Natural Science Foundation of China （No. 61205060）, the Natural Science Foundation of Fujian Province of China （No. 2011J01361） and the Key Project of Science and Technology of Fujian Pro
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基于0.5 μm标准Biplor、互补金属氧化物半导体和双扩散金属氧化物工艺设计了两种不同结构不同尺寸的光电探测器，包括传统的P^＋/N-EPI/BN^＋结构光电探测器和多叉指P^＋/N-EPI/BN^＋结构的光电探测器.通过仿真优化设计了光电探测器的结构参量和性能，测试结果表明：多叉指状P^＋/N-EPI/BN^＋光电探测器能够改善650 nm的响应度以及降低结电容.选择该结构大面积P^＋/N-EPI/BN^＋光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器的单片集成，采用0.5 μm标准Biplor、互补金属
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