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利用射频磁控反应溅射技术生长出具有高度晶面（0002）取向的ZnO外延薄膜。通过AFM、XRD、吸收光谱和荧光光谱等测试手段，分别研究分析了不同衬底、不同溅射气氛和退火对ZnO薄膜结构及光学性质的影响。研究表明，在200℃低温生长的硅基ZnO薄膜具有几百纳米的氧化锌准六角结构外形；当氧氩比为4：1（质量流量比）时，吸收谱激子峰最佳；退火后，激子峰（363nm）加强，同时出现了402nm的本征氧空位紫光发射。