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采用多光束应力实时测量装置监控并分析了磁控溅射Si和SiNx薄膜的总力及应力演化过程.在两种膜层中均观察到了应力释放及恢复现象.Si膜中应力是可逆的,而SiNx膜中应力是部分可逆的.物理吸附和解吸附分别是应力释放和恢复的主要原因.不可逆的应力分量来源于化学吸附,基于吸附机制建立了一个应力释放模型.