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提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用．采用这种方法可以准确地确定界面陷阱在沟道区与漏区的产生，从而有利于更深入地研究LDD结构器件的退化机制．
一种用于提取LDD结构n—MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法
【摘 要】
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提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法，用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生．这种方法对于初始样品以及热载流子应力退化后的样品都适用．采用这种
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年8期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2 0 0 00 3 65 0 3 )~~
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