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目前，提出了一种千兆位级DRAM超LSI批量生产所必需的最新等离子体腐蚀技术，并实践验证了其性能。该技术称谓时间调整电子回族共振［TM－ECR：（Time－ModulatedElectronCyclotronResonance）]等离子体腐蚀；它是采用以微秒反复进行等离子体“通”、“断”的脉冲调制等离子体。结果，可独立控制等离于体中的活性成分的种类、密度、能量，近而可达到同时兼备高选择性、；高各向异性、高速性的腐蚀效果。同时，也可减小由于电行积累而对衬底造成的不良影响。通常，TM－ECR等离子体腐蚀技术形