【摘 要】
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在半导体制造光刻工艺中,OVL(Overlay,层对准)是测量前层与本层之间曝光准确度的参数[1]。现阶段对于OVL的管控,一般根据工程师经验判断设定管控上下限,并没有合理地运用统计
【机 构】
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上海交通大学,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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在半导体制造光刻工艺中,OVL(Overlay,层对准)是测量前层与本层之间曝光准确度的参数[1]。现阶段对于OVL的管控,一般根据工程师经验判断设定管控上下限,并没有合理地运用统计方法进行管控。这项研究的目的就是为了寻找合理的统计方法对OVL的管控上下限进行科学有效的设置,从而实现对OVL参数的科学管控。基于长期以来对于OVL数据的特性分析可知,这些数据并不符合最常见的正态分布,因此用3 Sigma作为管控上下限的方法并不适合对于OVL的管控。建议可以利用T分布及卡方分布对OVL进行管控,使用这种新的管控方法设置上下限,得到了合理的OCAP ratio,从而实现对OVL更有效的管控。
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