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报道了在4H-SiC衬底上AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果．器件采用栅长为0.7μm，夹断电压为-3．2V，获得了最高跨导为202mS／mm，最大漏源饱和电流密度为915mA／mm的优良性能和结果。
4H-SiC衬底AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管的研制
【摘 要】
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报道了在4H-SiC衬底上AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制和室温特性测试结果．器件采用栅长为0.7μm，夹断电压为-3．2V，获得了最高跨导为202mS／mm，最大漏源饱和电流密度为915mA
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年12期
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