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在采用MOCVD技术生长的GaN膜上制备出MSM紫外光探测器,分别在室温下和94K低温下,测量了探测器对不同光波长的响应、同一光波长下对不同偏压的响应、不同斩波频率下的响应.结果表明,在94K下响应有了很大的改善.当光波长从360nm增加到450nrm时,响应下降了3个数量级,而常温下只下降两个数量级,但探测器的时间响应常数变长了.