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为了保证高可靠亚微米VLSI的实现,必须有效地抑制PMOS严重的热载流子效应。本文对0.50μm LDD PMOS工艺进行了研究,表明,LDD可有效地克服PMOS的热载流子效应和短沟道效应,并对LDD结构进行了老化分析,得到了LDD PMOS的优化工艺条件,并将这优化的工艺条件应用于亚微米集成电路的制造。