【摘 要】
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应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关.量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题
【机 构】
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中国科学院物理研究所北京电镜实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)
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应变普遍存在于失配系统中,包括晶格、热膨胀系数以及扩散系数等失配,其状态即应变是否弛豫及弛豫程度与物理性能密切相关.量子阱或超晶格的晶格应变弛豫发生的临界厚度问题是关系到器件设计、材料制备的基本问题,虽然从理论上已提出了多种计算模型,但不同的模型所计算出的结果差别很大,且不同的模型所使用的范围尚不确定.这就激发了从实验上予以研究的要求.另外,含N的Ⅲ-Ⅴ族究竟适用何种模型尚无定论,且对其弛豫行为以及对性能的影响缺乏细致的研究.本文应用高分辨X射线衍射和透射电子显微技术研究了InGaN/GaN量子阱结构的应
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