【摘 要】
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<正>The films of Ge and Si were grown on the substrate Si (100) by magnetron sputtering at 2.5 Pa Ar pressure.The growth temperature of films was 100℃,250℃,40
【机 构】
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ResearchCentreofSensorTechnology,DepartmentofMaterialsScienceandEngineering
【基金项目】
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Acknowledgments： This work was supported by the National Natural Science Foundation of China （No.60272001）, the Beijing Natural Science Foundation of China （No. 4032010） and the Yunnan Natural Provinc
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<正>The films of Ge and Si were grown on the substrate Si (100) by magnetron sputtering at 2.5 Pa Ar pressure.The growth temperature of films was 100℃,250℃,400℃and 550℃.The structure and composition were analysised by Raman scattering.The poly-crysta
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Pd基光学氢敏感薄膜材料是光学氢敏感薄膜材料最为重要的一类,主要包括Pd,Pd/Ni合金,Pd/WO3,Pd/MoO3,Pd/TiOx,Pd/MoS2等薄膜材料.本文从这类薄膜材料的制备、性能及应用方面,