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Growth of large size AgGaGeS4 crystal for infrared conversion

来源 :光电子学前沿 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tauliwn

【作 者】

：

HaixinWU，YoubaoNI，ChenLIN，Ming 

【出 处】

：

光电子学前沿

【发表日期】

：

2011年2期

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