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采用超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度（-1 V偏压下为7.35×10-6A/cm2）,与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。