【摘 要】
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用液相外延工艺,在1.11～1.67微米的波长范围,制造了（100）GaInAsP/InP DH 激光器。用两相溶液法,在相同的温度条件下（热处理温度 Ts=670℃,生长温度 Tg-631℃）和相同的冷却速率（0.81
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用液相外延工艺,在1.11～1.67微米的波长范围,制造了（100）GaInAsP/InP DH 激光器。用两相溶液法,在相同的温度条件下（热处理温度 Ts=670℃,生长温度 Tg-631℃）和相同的冷却速率（0.81°C/分钟）下,在1.2～1.65微米的波长范围,获得了低归一化阈值的 DH 激光器。还给出了激射波长与生长温度的依赖关系。三层结构的普通激光器,在1.2～1.52微米的波长范围,其归一化阈值电流密度 Jth/d 为4～5千安/厘米2/微米,而抗回熔层的四层结构的波长较长的激光器
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