【摘 要】
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本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si1-xCrx 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响较大,0.10at.%<x<2.0at.%
【机 构】
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兰州大学物理学系,兰州大学物理学系兰州730000,兰州730000,兰州730000
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本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si1-xCrx 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响较大,0.10at.%<x<2.0at.%的组分变化区,是薄膜光吸收特性变化的灵敏区.在研究的组分范围内,薄膜的光学带隙随Cr 组分的增大而变窄,由1.50 eV（x=0）减小到0.84 eV（x=10.0 at.%）.薄膜对不同波长的入射波,其吸收系数α有较大的变化,Cr 组分变化也影响到α的变化.我们利用 Cody 等人的无序理论,结合这类薄膜的 ESR 实验结果,对光吸收的实验结果进行了分析讨论.
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