冠心病合并睡眠呼吸暂停综合征患者的临床特点

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高功率TEA CO2激光器由于输出功率高,工作波长处于大气长波红外窗口等特点,在光电对抗、激光推进和激光武器中有广阔的应用前景。在这些应用中,激光传输的距离达到数公里甚至数千公里,所以要求输出的激光光束质量非常高。激光光束质量除了与激光器本身性能相关外,还与激光腔镜的热变形密切相关。在高能激光系统中,激光反射镜镜表面和窗口激光辐照区域在激光辐照下吸收一部分光能,形成不均匀的温度场,从而产生热应力并
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近年来,由于透明薄膜晶体管具有高迁移率(大于10 cm2/Vs)、低温工艺、能大面积生产、低成本等优点,已经引起了广泛的研究兴趣。而在这众多的透明氧化物半导体中,InGaZnO4因为作为沟道层而具有非常平整的结构、光滑的表面、即使在室温下沉积的非晶薄膜也具有较高的迁移率(大于10 cm2/Vs)而受到广泛的关注。  本文中,我们在玻璃衬底上室温条件下制备了透明InGaZnO4沟道薄膜晶体管。首先,
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碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应用前景。与其它宽禁带半导体相比,SiC最大的优势在于能通过热氧化生成本征氧化物二氧化硅(SiO2),这使它能在成熟的硅工艺基础上制作基于SiC的MOS(金属/氧化物/半导体)器件。但实际制作的SiC MOS器件沟道迁移率非常低,其中一个主要原因是SiO2/SiC界面较高的
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