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制备了基于内嵌氧化物铜（CuO）薄膜的并五苯薄膜晶体管器件．将3nmCuO薄膜内嵌入到并五苯（pentacene）中，作为空穴注入层，降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒．相对于纯并五苯薄膜晶体管器件，研制的晶体管的迁移率、阈值电压（坼H）、电流开关比（Ion／Ioff）等参数都有明显改善．X射线光电子能谱数据表明，这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO的电子转移．