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本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。最后导出:辐射照度E与半导体温度集成镜象对管结电压差值的改变量△(△VBE)线性关系式。本文可以作为研制半导体集成辐射传感器的理论依据。
半导体集成辐射传感器基本原理的研究
【摘 要】
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本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。最后导出:辐射照度E与半导体温度集成镜象对管结电压差值的改变量△(△VB
【机 构】
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山东省海洋仪器仪表研究所青岛266001
【出 处】
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山东科学
【发表日期】
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1993年4期
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