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研究了不同溅射气压条件下磁控溅射制备w／si多层膜过程中的应力变化，使用X射线衍射仪测量了多层膜的结构，使用实时应力测量装置研究w／si多层膜沉积过程中的应力演变。结果表明，在溅射气压从0．05Pa增加到1．1oPa的过程中，薄膜沉积过程中产生的压应力不断减小并最终过渡为张应力，应力值在溅射气压为0．60Pa时最小，研究结果对减小膜层应力具有指导意义。