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本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10~(13)/cm~3,明显小于利用通常的二步外延工艺所得结果。
减小硅外延自掺杂的一种新方法
【摘 要】
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本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10~(14)～10~(18)/cm~3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所南京210016,南京210016,南京210016
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1992年4期
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