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在国际半导体技术蓝图（ITRS）指定的22nm节点中，该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择，这将取决于其产品的发展路线图。在某些情况下，业界甚至可能会同时使用两种方案。这两种竞争方案就是极紫外光刻技术（EUVL）和32nm节点由193nm浸没式双重图形光刻（DPL）扩展到多图形的光刻技术。讨论了两种技术，比较了两种技术所需的关键解决方案的现状，以及存在的挑战。