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采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响.试验表明,在600~700℃之间高温处理效果较好.