高温处理工艺对低压MOCVD外延GaAs／Ge太阳电池的影响

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【摘要】

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采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电

【作者】

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李晓婷汪韬赛小锋高鸿楷

【机构】

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中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室

【出处】

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光子学报

【发表日期】

：

2003年8期

【关键词】

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LP-MOCVD GAAS/GE 太阳电池 LP-MOCVDGaAs/GeSolar cell

【基金项目】

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国家自然科学基金

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采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响.试验表明,在600～700℃之间高温处理效果较好.

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