SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lxhcoolrr

【摘要】

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实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,

【作者】

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卢振亚黄欢吴建青

【机构】

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华南理工大学材料科学与工程学院

【出处】

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无机材料学报

【发表日期】

：

2009年4期

【关键词】

：

SnO2压敏电阻致密化耐电流冲击特性 SnO2 varistor densification withstanding surge current te

【基金项目】

：

广东省科技攻关项目（2006A11003001）,广州市科技攻关项目（2006Z3-D0431）

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实验研究了TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3和MnO掺杂对SnO2-Sb2O3基压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响.研究结果表明,TiO2和Co3O4促进SnO2陶瓷烧结致密化,根据XRD图谱分析结果,Co3O4与SnO2反应形成了Co2SnO4晶相,TiO2则固溶于SnO2晶相;Sb元素的引入能够促进SnO2晶粒的半导化;复合添加Cr2O3、Ni2O3和MnO可以有效提高材料的电压非线性特性和脉冲电流冲击耐受能力.获得电性能接近实用化的SnO2压敏陶瓷样品,其压敏电压V1mA约为350V/mm

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