【摘 要】
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介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱。分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305IID)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情
【机 构】
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华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系,华中科技大学光电子工程系 武汉国家光电实验室
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介绍了利用蒸发方法制备金属薄膜来实现MEMS工艺中的互连,采用剥离方法制作金属互连柱。分别在剥离层为双层AZ5214负胶、聚酰亚胺(ZKPI-305IID)和AZ5214负胶、ENPI剥离胶的情况下,实验并制备了金属Ni互连柱(双层AZ5214金属柱高1.86μm,聚酰亚胺(ZKPI-305IID)和AZ5214柱高2.0μm,ENPI柱高1.5μm),都起到了较好的互连作用。
This paper introduces the fabrication of metal thin film by evaporation to realize the interconnection in MEMS process, and the stripping method to fabricate the metal interconnection column. The metal Ni interconnection column (double layer AZ5214 metal column with a height of 1.86 μm) was fabricated and tested under the conditions of double layer AZ5214 negative layer adhesive, polyimide (ZKPI-305IID) and AZ5214 negative layer adhesive and ENPI release layer respectively. , Polyimide (ZKPI-305IID) and AZ5214 column height of 2.0μm, ENPI column height of 1.5μm), have played a good interconnect.
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