飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：keke127

【摘要】

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经常有人将MRAM(磁阻RAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM可以

【作者】

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飞思卡尔公司

【出处】

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世界电子元器件

【发表日期】

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2007年10期

【关键词】

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飞思卡尔扩展产品系列非易失性存储器技术磁性材料高速度数据寿命闪存器件掉电电路磁阻

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经常有人将MRAM(磁阻RAM,magnetoresistive random access memory)称作是非易失性存储器(nvRAM,Non-Volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新,它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,几乎没有寿命限制.

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