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光电子技术2015年第35卷第4期 目录
【出 处】
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光电子技术
【发表日期】
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2015年35期
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利用激光溅射的方法,已经在离子阱中产生并囚禁了C n(n=1～13)原子团簇离子,并取得了溅射产生原子团簇的质量范围随激光脉冲能量的变化以及原子团簇离子的稳定存储随囚禁时间的变化关系等结果。囚禁时间可达20 s。
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