Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算

来源 :天津师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fengyun816ok

【摘要】

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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研

【作者】

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苏蓉李娜张佳佳李晓琴赵辉

【机构】

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天津师范大学物理与材料科学学院

【出处】

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天津师范大学学报:自然科学版

【发表日期】

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2019年2期

【关键词】

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表面吸附 Mg/Si(220)体系第一性原理计算 adsorption of surfaceMg/Si(220)systemfirst principles

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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子的最稳定吸附位置为Si(220)晶面的穴位,此时吸附能最低.同时,Mg/Si(220)体系中Mg原子的2p和3s轨道电子与Si原子的3s和3p轨道电子间的强相互作用使体系的电子布居和功函数发生改变.

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