【摘 要】
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采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅（111）衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌矿结构。对样品进行自由和压力荷载状态下的
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室,中国电子科技集团公司第十三所
【基金项目】
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国家自然科学基金（60806022）资助课题
论文部分内容阅读
采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅（111）衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌矿结构。对样品进行自由和压力荷载状态下的拉曼光谱测试,结果表明,自由状态下,GaN处于张应力状态,最大应力为342.272 MPa,同时Si衬底为压应力,但由于缓冲层的存在及影响,GaN中的张应力和Si中的压应力数值不完全相同。在对样品施加平行于（0002）面的外加压力后,随着加压的增大,GaN和Si的拉曼峰都发生蓝移,说明外加压力在材料内部造成了压应力。
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