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通过气压烧结工艺制备了含１，５，２０，２５，３５ｗｔ％ＴｉＣ的Ｓｉ３Ｎ４陶瓷复合材料研究了其导电特性，该复合材料由充当绝缘体的Ｓｉ３Ｎ４和作为导电添加剂的ＴｉＣ组成，其电阻率主要取决于其中的ＴｉＣ含量。复合材料的渗流阈值ＶＣ为１６．４５－１８．５０ｖｏｌ％，当ＴｉＣ含量达到或超过该阈值时复合材料中就形成导电通路，电阻率迅速降低。