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蓝宝石衬底GaN基LED的电流拥挤效应一直是影响二极管寿命主要问题,常见问题有电流扩展层薄Ni/Au层或ITO导电薄膜。通过实验主要研究了ITO导电膜的退火对蓝光LED光电参数的影响,发现经过ITO退火工艺的芯片比没有ITO退火的芯片正向压降低0.2V以上,亮度一致性更高,这为提高蓝光管芯参数性能提供了依据。