不同晶态比条件下氢化纳米硅薄膜光学性质的研究

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huhaiyan1953

【摘要】

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利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁

【作者】

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郭立强丁建宁杨继昌程广贵凌智勇董玉忠

【机构】

：

江苏大学微纳米科学技术研究中心,江苏工业学院低维材料微纳器件与系统研究中心,常州市新能源重点实验室

【出处】

：

功能材料

【发表日期】

：

2010年A01期

【关键词】

：

直流负偏压消光系数透射光谱氢化纳米硅薄膜 DC bias stimulation extinction coefficient optical trans

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利用等离子体化学气相沉积系统,在射频源和直流负偏压源的双重激励下,保持射频功率、反应室气压、衬底温度、硅烷与氢气混合比以及总流量不变,改变直流负偏压从50～250V,在康宁7059玻璃衬底上制备了本征氢化纳米硅薄膜。利用拉曼散射仪表征了不同直流负偏压条件下薄膜微结构特征;利用Shmadzu UV-2450型光谱仪测试了薄膜样品透射图谱。研究发现提高直流负偏压将导致晶态比、沉积速率发生变化。薄膜的光吸收系数和消光系数随波长增加呈下降趋势;不同晶态比薄膜的悬挂键和有效载流子浓度、致密程度、键畸变程度和悬挂键数

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