A low power high gain UWB LNA in 0.18-μm CMOS

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A low power high gain differential UWB low noise amplifier (LNA) operating at 3-5 GHz is presented.A common gate input stage is used for wideband input matching;capacitor cross coupling (CCC) and current reuse techniques are combined to achieve high gain under low power consumption.The prototypes fabricated in 0.18-μm CMOS achieve a peak power gain of 17.5 dB with a-3 dB bandwidth of 2.8-5 GHz,a measured minimum noise figure (NF) of 3.35 dB and-12.6 dBm input-referred compression point at 5 GHz,while drawing 4.4mA from a 1.8V supply.The peak power gain is 14 dB under a 4.5mW power consumption (3 mA from a 1.5V supply).The proposed differential LNA occupies an area of 1.01mm2 including test pads. A low power high gain differential UWB low noise amplifier (LNA) operating at 3-5 GHz is presented. A common gate input stage is used for wideband input matching; capacitor cross coupling (CCC) and current reuse techniques are combined to achieve high gain under low power consumption. The prototypes fabricated in 0.18-μm CMOS achieve a peak power gain of 17.5 dB with a-3 dB bandwidth of 2.8-5 GHz, with a measured minimum noise figure (NF) of 3.35 dB and -12.6 dBm input- The proposed compression point at 5 GHz while drawing 4.4mA from a 1.8V supply. The peak power gain is 14 dB under a 4.5mW power consumption (3 mA from a 1.5V supply). The proposed differential LNA occupies an area of ​​1.01mm2 including test pads.
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