采用MOCVD方法的GaN薄膜制备试验研究

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摘要:介绍了使用本实验室自制的MOCVD设备,以蓝宝石材料作为衬底.按照MOCVD方法设计的GaN薄膜制备试验。衬底人炉后先在1150℃的Hz气氛下烘烤20min,然后降温至540℃、550℃、560℃、570℃和580℃生长20nm厚的GaN缓冲层,再升温至1100℃生长GaN外延,外延的厚度约为3μm。缓冲层生长温度为570℃时,样品外延的生长质量最好。
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